机译:0.25 / splμ/ m CMOS技术的静态和动态寄存器中的单事件效果
机译:CMOS /厚SOI移位寄存器中的动态单事件效果
机译:单事件瞬态效应对28 nm FDSOI CMOS技术中动态比较器的影响
机译:CMOS /厚SOI移位寄存器中的动态单事件效果
机译:亚事件100 nm以下CMOS技术中单事件感应电荷共享的影响。
机译:使用I3T25 CMOS技术开发的有源元件设计信号发生器用于单路IC封装实现照度到频率的转换
机译:采用0.25μmCMOS技术的静态和动态寄存器中的单事件效果